అద్భుతమైన నాణ్యత పాలీప్రొఫైలిన్ ఫిల్మ్ కెపాసిటర్ - మెటలైజ్డ్ ఫిల్మ్ IGBT స్నబ్బర్ కెపాసిటర్ – CRE

చిన్న వివరణ:

మాకు ఇమెయిల్ పంపండి PDFగా డౌన్‌లోడ్ చేయండి

ఉత్పత్తి వివరాలు

ఉత్పత్తి ట్యాగ్‌లు

సంబంధిత వీడియో

అభిప్రాయం (2)

ఉమ్మడి ప్రయత్నాలతో, మా మధ్య ఉన్న సంస్థ మాకు పరస్పర ప్రయోజనాలను తెస్తుందని మేము నమ్ముతున్నాము.మేము మీకు ఉత్పత్తి లేదా సేవ నాణ్యత మరియు దూకుడు ధరకు హామీ ఇవ్వగలముఫిల్మ్ కెపాసిటర్ Pv ఇన్వర్టర్ కోసం రూపొందించబడింది , డ్రై టైప్ ఎసి ఫిల్టర్ , సిమెన్స్ వెల్డింగ్ మెషిన్ కోసం Dc లింక్ కెపాసిటర్, అన్ని ఉత్పత్తులు మంచి నాణ్యత మరియు ఖచ్చితమైన అమ్మకాల తర్వాత సేవలతో వస్తాయి.మార్కెట్-ఆధారిత మరియు కస్టమర్-ఆధారితమైనవి మేము అనుసరిస్తున్నాము.విన్-విన్ సహకారం కోసం హృదయపూర్వకంగా ఎదురుచూస్తున్నాము!

అద్భుతమైన నాణ్యత పాలీప్రొఫైలిన్ ఫిల్మ్ కెపాసిటర్ - మెటలైజ్డ్ ఫిల్మ్ IGBT స్నబ్బర్ కెపాసిటర్ – CRE వివరాలు:

సాంకేతిక సమాచారం

ఆపరేటింగ్ ఉష్ణోగ్రత పరిధి	గరిష్టం.ఆపరేటింగ్ ఉష్ణోగ్రత.,ఎగువ,గరిష్టం: +105℃ఎగువ కేటగిరీ ఉష్ణోగ్రత: +85℃తక్కువ కేటగిరీ ఉష్ణోగ్రత: -40℃
కెపాసిటెన్స్ పరిధి	0.1μF～5.6μF
రేట్ చేయబడిన వోల్టేజ్	700V.DC～3000V.DC
కాప్.టోల్	±5%(J) ;±10%(K)
వోల్టేజీని తట్టుకుంటుంది	1.5అన్ DC/10S
డిస్సిపేషన్ ఫ్యాక్టర్	tgδ≤0.0005 C≤1μF f=10KHztgδ≤0.001 C≥1μF f=10KHz
ఇన్సులేషన్ నిరోధకత	C≤0.33μF RS≥15000 MΩ (20℃ 100V.DC 60S వద్ద) C＞0.33μF RS*C≥5000S(20℃ 100V.DC 60S వద్ద)
స్ట్రైక్ కరెంట్‌ను తట్టుకుంటుంది	具体见规格表
ఫ్లేమ్ రిటార్డేషన్	UL94V-0
ఆయుర్దాయం	100000గం(అన్; Θహాట్‌స్పాట్≤85°C)
సూచన ప్రమాణం	IEC61071;GB/T17702;

వోల్టేజ్			అన్ 700V.DC,Urms400Vac;Us1050V
	డైమెన్షన్ (మిమీ)
Cn(μF)	L(±1)	T(±1)	H(±1)	ESR @100KHz (mΩ)	ESL(nH)	dv/dt (V/μS)	Ipk(A)	Irms @40℃ @100KHz (A)
0.47	42.5	24.5	27.5	12	25	500	235	8
0.68	42.5	24.5	27.5	10	25	480	326.4	10
1	42.5	24.5	27.5	8	24	450	450	12
1.5	42.5	33.5	35.5	7	25	430	645	5
2	42.5	33	35.5	6	24	420	840	15
2.5	42.5	33	45	6	23	400	1000	18
3	42.5	33	45	5.5	22	380	1140	20
3	57.5	30	45	5	26	350	1050	22
3.5	42.5	33	45	5	23	350	1225	25
3.5	57.5	30	45	6	25	300	1050	22
4.7	57.5	35	50	5	28	280	1316	25
5.6	57.5	38	54	4	30	250	1400	25
6	57.5	38	54	3.5	33	230	1380	28
6.8	57.5	42.5	56	3.2	32	220	1496	32
8	57.5	42.5	56	2.8	30	200	1600	33


వోల్టేజ్			అన్ 1000V.DC,Urms500Vac;Us1500V
	డైమెన్షన్ (మిమీ)
Cn(μF)	L(±1)	T(±1)	H(±1)	ESR(mΩ)	ESL(nH)	dv/dt(V/μS)	Ipk(A)	ఇర్మ్స్
0.47	42.5	24.5	27.5	11	25	1000	470	10
0.68	42.5	24.5	27.5	8	25	800	544	12
1	42.5	33.5	35.5	6	24	800	800	15
1.5	42.5	33	45	6	24	700	1050	15
2	42.5	33	45	5	22	700	1400	20
2.5	57.5	30	45	5	30	600	1500	22
3	57.5	35	50	4	30	600	1800	25
3.3	57.5	35	50	3.5	28	550	1815	25
3.5	57.5	38	54	3.5	28	500	1750	25
4	57.5	38	54	3.2	26	500	2000	28
4.7	57.5	42.5	56	3	25	420	1974	30
5.6	57.5	42.5	56	2.8	24	400	2240	32

వోల్టేజ్			అన్ 1200V.DC,Urms550Vac;Us1800V
Cn(μF)	L(±1)	T(±1)	H(±1)	ESR(mΩ)	ESL(nH)	dv/dt(V/μS)	Ipk(A)	ఇర్మ్స్
0.47	42.5	24.5	27.5	11	24	1200	564	10
0.68	42.5	33.5	35.5	7	23	1100	748	12
1	42.5	33.5	35.5	6	22	800	800	14
1.5	42.5	33	45	5	20	800	1200	15
2	57.5	30	45	4	30	750	1500	20
2.5	57.5	35	50	4	28	700	1750	25
3	57.5	35	50	4	27	600	1800	25
3.3	57.5	38	54	4	27	550	1815	28
3.5	57.5	38	54	3.5	25	500	1750	28
4	57.5	42.5	56	3.5	25	450	1800	30
4.7	57.5	42.5	56	3.2	23	420	1974	32

వోల్టేజ్			అన్ 1700V.DC,Urms575Vac;Us2250V
Cn(μF)	L(±1)	T(±1)	H(±1)	ESR(mΩ)	ESL(nH)	dv/dt(V/μS)	Ipk(A)	ఇర్మ్స్
0.33	42.5	24.5	27.5	12	25	1300	429	9
0.47	42.5	24.5	27.5	10	24	1300	611	10
0.68	42.5	33.5	35.5	8	23	1300	884	12
1	42.5	33	45	7	22	1200	1200	15
1.5	42.5	33	45	6	22	1200	1800	18
1.5	57.5	30	45	5	31	1200	1800	20
2	57.5	30	45	5	30	1100	2200	22
2.5	57.5	35	50	4	28	1100	2750	25
3	57.5	38	54	4	27	700	2100	25
3.3	57.5	38	54	3.8	26	600	1980	28
3.5	57.5	42.5	56	3.5	25	500	1750	30
4	57.5	42.5	56	3.2	25	450	1800	32

వోల్టేజ్			అన్ 2000V.DC,Urms700Vac;Us3000V
Cn(μF)	L(±1)	T(±1)	H(±1)	ESR(mΩ)	ESL(nH)	dv/dt(V/μS)	Ipk(A)	ఇర్మ్స్
0.22	42.5	24.5	27.5	15	25	1500	330	10
0.33	42.5	33.5	35.5	12	24	1500	495	12
0.47	42.5	33.5	35.5	11	23	1400	658	15
0.68	42.5	33	45	8	22	1200	816	18
0.68	57.5	30	45	7	30	1100	748	20
0.82	42.5	33	45	7	28	1200	984	22
1	57.5	30	45	6	28	1100	1100	25
1.5	57.5	35	50	5	25	1000	1500	28
2	57.5	38	54	5	24	800	1600	28
2.2	57.5	42.5	56	4	23	700	1540	32

వోల్టేజ్			అన్ 3000V.DC,Urms750Vac;Us4500V
Cn(μF)	L(±1)	T(±1)	H(±1)	ESR(mΩ)	ESL(nH)	dv/dt(V/μS)	Ipk(A)	ఇర్మ్స్
0.15	42.5	33	45	18	28	2500	375	25
0.22	42.5	33	45	15	27	2200	484	28
0.22	57.5	35	50	15	25	2000	330	20
0.33	57.5	35	50	12	24	1800	495	20
0.47	57.5	38	54	11	23	1600	752	22
0.68	57.5	42.5	56	8	22	1500	1020	28

ఫీచర్

1. ప్లాస్టిక్, రెసిన్తో సీలు చేయబడింది;

2. టిన్-ప్లేటెడ్ కాపర్ ఇన్సర్ట్ లీడ్స్ , IGBT కోసం సులభమైన ఇన్‌స్టాలేషన్;

3. అధిక వోల్టేజీకి నిరోధకత, తక్కువ tgδ, తక్కువ ఉష్ణోగ్రత పెరుగుదల;

4. తక్కువ ESL మరియు ESR;

5. అధిక పల్స్ కరెంట్.

తక్కువ ఇండక్టెన్స్ అంతర్గత నిర్మాణాలు, ఐచ్ఛిక మోల్డ్ రెసిన్ కేసులు మరియు అనుకూలీకరించిన ముగింపులను ఉపయోగించడం ద్వారా, SMJ-P సిరీస్ IGBTS వేగంగా మారడం కోసం రూపొందించబడింది మరియు స్నబ్బర్లు మరియు అధిక కరెంట్ హై ఫ్రీక్వెన్సీ ఇన్‌పుట్ ఫిల్టర్‌లుగా ఉపయోగపడుతుంది.

ఉత్పత్తి వివరాల చిత్రాలు:

సంబంధిత ఉత్పత్తి గైడ్:

దుకాణదారుల సంతృప్తి మా ప్రాథమిక దృష్టి.We uphold a consistent level of professionalism, quality, credibility and repair for Excellent quality Polypropylene Film Capacitor - Metalized film IGBT Snubber capacitor – CRE , The product will supply to all over the world, such as: Roman, Tanzania, kazan, We will do మీరు అత్యుత్తమ గ్రేడ్ నాణ్యత మరియు పోటీ ధరపై ఆధారపడటం మరియు సేవ తర్వాత ఉత్తమమైన వాటిపై ఆధారపడినందుకు మేము సహకరించడానికి మరియు సంతృప్తి చెందాము, మీతో సహకరించడానికి మరియు భవిష్యత్తులో విజయాలు సాధించడానికి హృదయపూర్వకంగా ఎదురుచూస్తున్నాము!

ఎసి ఫిల్మ్ కెపాసిటర్ బ్యాంక్

మీడియం ఫ్రీక్వెన్సీ ఇండషన్ ఫర్నేస్ కోసం కెపాసిటర్

డెలివరీ కారు కోసం Dc లింక్ కెపాసిటర్

ఫిల్మ్ కెపాసిటర్ సరఫరాదారు

హై పెర్ఫార్మెన్స్ ఫిల్మ్ కెపాసిటర్

అధిక శక్తి ప్రతిధ్వని కెపాసిటర్లు

అధిక నాణ్యత Dc లింక్ కెపాసిటర్

హై వోల్టేజ్ Dc లింక్ కెపాసిటర్

Igbt శోషక సర్క్యూట్ కెపాసిటర్

Mkp కెపాసిటర్

ఫ్యాక్టరీ టెక్నికల్ స్టాఫ్ సాంకేతికత ఉన్నత స్థాయిని కలిగి ఉండటమే కాదు, వారి ఆంగ్ల స్థాయి కూడా చాలా బాగుంది, ఇది టెక్నాలజీ కమ్యూనికేషన్‌కు గొప్ప సహాయం.