హై పవర్డ్ థైరిస్టర్ కోసం ఫ్యాక్టరీ మేడ్ హాట్-సేల్ స్నబ్బర్ - హై పవర్ అప్లికేషన్‌ల కోసం హై-క్లాస్ IGBT స్నబ్బర్ కెపాసిటర్ డిజైన్ – CRE

హై పవర్డ్ థైరిస్టర్ కోసం ఫ్యాక్టరీ తయారు చేసిన హాట్-సేల్ స్నబ్బర్ - హై పవర్ అప్లికేషన్‌ల కోసం హై-క్లాస్ IGBT స్నబ్బర్ కెపాసిటర్ డిజైన్ - CRE ఫీచర్ చేయబడిన చిత్రం

చిన్న వివరణ:

మాకు ఇమెయిల్ పంపండి PDFగా డౌన్‌లోడ్ చేయండి

ఉత్పత్తి వివరాలు

ఉత్పత్తి ట్యాగ్‌లు

సంబంధిత వీడియో

అభిప్రాయం (2)

మా సుసంపన్నమైన సౌకర్యాలు మరియు అసాధారణమైన మంచి నాణ్యత ఉత్పత్తి యొక్క అన్ని దశలలో నిర్వహించడం ద్వారా మొత్తం దుకాణదారుల సంతృప్తికి హామీ ఇవ్వడానికి మాకు వీలు కల్పిస్తుందివెల్డింగ్ ఇన్వర్టర్ Dc లింక్ కెపాసిటర్ , Abb ఇన్వర్టర్ కోసం ఫిల్మ్ కెపాసిటర్ , ఎలక్ట్రానిక్ కెపాసిటర్, కాబట్టి, మేము వేర్వేరు క్లయింట్‌ల నుండి వేర్వేరు విచారణలను తీర్చగలము.మా ఉత్పత్తుల నుండి మరింత సమాచారాన్ని తనిఖీ చేయడానికి దయచేసి మా వెబ్‌సైట్‌ను కనుగొనండి.

హై పవర్డ్ థైరిస్టర్ కోసం ఫ్యాక్టరీ మేడ్ హాట్-సేల్ స్నబ్బర్ - హై పవర్ అప్లికేషన్‌ల కోసం హై-క్లాస్ IGBT స్నబ్బర్ కెపాసిటర్ డిజైన్ - CRE వివరాలు:

సాంకేతిక సమాచారం

ఆపరేటింగ్ ఉష్ణోగ్రత పరిధి	గరిష్టంగా.ఆపరేటింగ్ ఉష్ణోగ్రత.,టాప్,గరిష్టం: +105℃ ఎగువ వర్గం ఉష్ణోగ్రత: +85℃ దిగువ వర్గం ఉష్ణోగ్రత: -40℃
కెపాసిటెన్స్ పరిధి	0.1μF～5.6μF
రేట్ చేయబడిన వోల్టేజ్	700V.DC～3000V.DC
కాప్.టోల్	±5%(J);±10%(K)
వోల్టేజీని తట్టుకుంటుంది	1.5అన్ DC/10S
డిస్సిపేషన్ ఫ్యాక్టర్	tgδ≤0.0005 C≤1μF f=10KHz tgδ≤0.001 C≥1μF f=10KHz
ఇన్సులేషన్ నిరోధకత	C≤0.33μF RS≥15000 MΩ (20℃ 100V.DC 60S వద్ద) C＞0.33μF RS*C≥5000S(20℃ 100V.DC 60S వద్ద)
స్ట్రైక్ కరెంట్‌ను తట్టుకుంటుంది	డేటాషీట్ చూడండి
ఫ్లేమ్ రిటార్డేషన్	UL94V-0
ఆయుర్దాయం	100000గం(అన్; Θహాట్‌స్పాట్≤85°C)
సూచన ప్రమాణం	IEC61071;GB/T17702;

స్పెసిఫికేషన్ టేబుల్

వోల్టేజ్	అన్ 700V.DC,Urms400Vac;Us1050V
	డైమెన్షన్ (మిమీ)
Cn(μF)	L(±1)	T(±1)	H(±1)	ESR @100KHz (mΩ)	ESL(nH)	dv/dt (V/μS)	Ipk(A)	Irms @40℃ @100KHz (A)
0.47	42.5	24.5	27.5	12	25	500	235	8
0.68	42.5	24.5	27.5	10	25	480	326.4	10
1	42.5	24.5	27.5	8	24	450	450	12
1.5	42.5	33.5	35.5	7	25	430	645	5
2	42.5	33	35.5	6	24	420	840	15
2.5	42.5	33	45	6	23	400	1000	18
3	42.5	33	45	5.5	22	380	1140	20
3	57.5	30	45	5	26	350	1050	22
3.5	42.5	33	45	5	23	350	1225	25
3.5	57.5	30	45	6	25	300	1050	22
4.7	57.5	35	50	5	28	280	1316	25
5.6	57.5	38	54	4	30	250	1400	25
6	57.5	38	54	3.5	33	230	1380	28
6.8	57.5	42.5	56	3.2	32	220	1496	32
8	57.5	42.5	56	2.8	30	200	1600	33
వోల్టేజ్	అన్ 1000V.DC,Urms500Vac;Us1500V
	డైమెన్షన్ (మిమీ)
Cn(μF)	L(±1)	T(±1)	H(±1)	ESR(mΩ)	ESL(nH)	dv/dt(V/μS)	Ipk(A)	ఇర్మ్స్
0.47	42.5	24.5	27.5	11	25	1000	470	10
0.68	42.5	24.5	27.5	8	25	800	544	12
1	42.5	33.5	35.5	6	24	800	800	15
1.5	42.5	33	45	6	24	700	1050	15
2	42.5	33	45	5	22	700	1400	20
2.5	57.5	30	45	5	30	600	1500	22
3	57.5	35	50	4	30	600	1800	25
3.3	57.5	35	50	3.5	28	550	1815	25
3.5	57.5	38	54	3.5	28	500	1750	25
4	57.5	38	54	3.2	26	500	2000	28
4.7	57.5	42.5	56	3	25	420	1974	30
5.6	57.5	42.5	56	2.8	24	400	2240	32
వోల్టేజ్	అన్ 1200V.DC,Urms550Vac;Us1800V
Cn(μF)	L(±1)	T(±1)	H(±1)	ESR(mΩ)	ESL(nH)	dv/dt(V/μS)	Ipk(A)	ఇర్మ్స్
0.47	42.5	24.5	27.5	11	24	1200	564	10
0.68	42.5	33.5	35.5	7	23	1100	748	12
1	42.5	33.5	35.5	6	22	800	800	14
1.5	42.5	33	45	5	20	800	1200	15
2	57.5	30	45	4	30	750	1500	20
2.5	57.5	35	50	4	28	700	1750	25
3	57.5	35	50	4	27	600	1800	25
3.3	57.5	38	54	4	27	550	1815	28
3.5	57.5	38	54	3.5	25	500	1750	28
4	57.5	42.5	56	3.5	25	450	1800	30
4.7	57.5	42.5	56	3.2	23	420	1974	32
వోల్టేజ్	అన్ 1700V.DC,Urms575Vac;Us2250V
Cn(μF)	L(±1)	T(±1)	H(±1)	ESR(mΩ)	ESL(nH)	dv/dt(V/μS)	Ipk(A)	ఇర్మ్స్
0.33	42.5	24.5	27.5	12	25	1300	429	9
0.47	42.5	24.5	27.5	10	24	1300	611	10
0.68	42.5	33.5	35.5	8	23	1300	884	12
1	42.5	33	45	7	22	1200	1200	15
1.5	42.5	33	45	6	22	1200	1800	18
1.5	57.5	30	45	5	31	1200	1800	20
2	57.5	30	45	5	30	1100	2200	22
2.5	57.5	35	50	4	28	1100	2750	25
3	57.5	38	54	4	27	700	2100	25
3.3	57.5	38	54	3.8	26	600	1980	28
3.5	57.5	42.5	56	3.5	25	500	1750	30
4	57.5	42.5	56	3.2	25	450	1800	32
వోల్టేజ్	అన్ 2000V.DC,Urms700Vac;Us3000V
Cn(μF)	L(±1)	T(±1)	H(±1)	ESR(mΩ)	ESL(nH)	dv/dt(V/μS)	Ipk(A)	ఇర్మ్స్
0.22	42.5	24.5	27.5	15	25	1500	330	10
0.33	42.5	33.5	35.5	12	24	1500	495	12
0.47	42.5	33.5	35.5	11	23	1400	658	15
0.68	42.5	33	45	8	22	1200	816	18
0.68	57.5	30	45	7	30	1100	748	20
0.82	42.5	33	45	7	28	1200	984	22
1	57.5	30	45	6	28	1100	1100	25
1.5	57.5	35	50	5	25	1000	1500	28
2	57.5	38	54	5	24	800	1600	28
2.2	57.5	42.5	56	4	23	700	1540	32
వోల్టేజ్	అన్ 3000V.DC,Urms750Vac;Us4500V
Cn(μF)	L(±1)	T(±1)	H(±1)	ESR(mΩ)	ESL(nH)	dv/dt(V/μS)	Ipk(A)	ఇర్మ్స్
0.15	42.5	33	45	18	28	2500	375	25
0.22	42.5	33	45	15	27	2200	484	28
0.22	57.5	35	50	15	25	2000	330	20
0.33	57.5	35	50	12	24	1800	495	20
0.47	57.5	38	54	11	23	1600	752	22
0.68	57.5	42.5	56	8	22	1500	1020	28

ఉత్పత్తి వివరాల చిత్రాలు:

సంబంధిత ఉత్పత్తి గైడ్:

మా ఉద్దేశం సాధారణంగా గోల్డెన్ ప్రొవైడర్, గొప్ప ధర మరియు ఫ్యాక్టరీ మేడ్ హాట్ సేల్ స్నబ్బర్ కోసం అధిక పవర్డ్ థైరిస్టర్ - హై-క్లాస్ IGBT స్నబ్బర్ కెపాసిటర్ డిజైన్ - CRE , ఉత్పత్తి అందరికీ అందించడం ద్వారా మా కొనుగోలుదారులను సంతృప్తి పరచడం. ప్రపంచవ్యాప్తంగా, ఇలాంటివి: మొనాకో, పోర్చుగల్, మాంట్రియల్, మాకు 20 కంటే ఎక్కువ దేశాల నుండి కస్టమర్‌లు ఉన్నారు మరియు మా గౌరవనీయమైన కస్టమర్‌లచే మా కీర్తి గుర్తించబడింది.అంతులేని మెరుగుదల మరియు 0% లోపం కోసం ప్రయత్నించడం మా రెండు ప్రధాన నాణ్యతా విధానాలు.మీకు ఏదైనా అవసరమైతే, మమ్మల్ని సంప్రదించడానికి సంకోచించకండి.

రైల్ ట్రాక్షన్ పవర్ సిస్టమ్ కోసం ఉపయోగించే Ac ఫిల్టర్

పారిశ్రామిక ఇన్వర్టర్‌ల కోసం Dc-లింక్ కెపాసిటర్

డ్రై టైప్ ఫిల్మ్ కెపాసిటర్

ఫిల్మ్ కెపాసిటర్ ఫ్యాక్టరీ

ఫిల్మ్ కెపాసిటర్ తయారీదారు

గ్లోబల్ కెపాసిటర్ సరఫరాదారు

అధిక శక్తి నిల్వ కెపాసిటర్లు

Igbt స్నబ్బర్

మీడియం ఫ్రీక్వెన్సీ ఫర్నేస్ రెసొనెంట్ కెపాసిటర్

Dc లింక్ కోసం పవర్ కెపాసిటర్

నేటి కాలంలో అటువంటి వృత్తిపరమైన మరియు బాధ్యతాయుతమైన ప్రొవైడర్‌ను కనుగొనడం అంత సులభం కాదు.మేము దీర్ఘకాలిక సహకారాన్ని కొనసాగించగలమని ఆశిస్తున్నాము.

మయామి నుండి మాక్సిన్ ద్వారా - 2017.06.16 18:23

పరిశ్రమలోని ఈ సంస్థ బలంగా మరియు పోటీగా ఉంది, కాలంతో పాటు అభివృద్ధి చెందుతోంది మరియు స్థిరంగా అభివృద్ధి చెందుతుంది, సహకరించడానికి మాకు అవకాశం లభించినందుకు మేము చాలా సంతోషిస్తున్నాము!

బెలిజ్ నుండి సారా ద్వారా - 2017.06.25 12:48